规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD12N65M5
仓库库存编号：
497-10568-1-ND
别名：497-10568-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 24.8A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24.8A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y53-100B,115
仓库库存编号：
1727-7219-1-ND
别名：1727-7219-1
568-9713-1
568-9713-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N50C3
仓库库存编号：
SPD04N50C3INCT-ND
别名：SPD04N50C3INCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R330P6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R330P6XKSA1-ND
别名：SP001017074
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4214DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4214DDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4214DDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18534Q5A
仓库库存编号：
296-35583-1-ND
别名：296-35583-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19534Q5A
仓库库存编号：
296-43636-1-ND
别名：296-43636-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
型号：
FDMC86160
仓库库存编号：
FDMC86160CT-ND
别名：FDMC86160CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
STB10N95K5
仓库库存编号：
497-14971-1-ND
别名：497-14971-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19534Q5AT
仓库库存编号：
296-37838-1-ND
别名：296-37838-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH2900ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPH2900ENHL1QCT-ND
别名：TPH2900ENHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），20A（Tc） 2.4W（Ta），25W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7696
仓库库存编号：
FDMC7696CT-ND
别名：FDMC7696_F065CT
FDMC7696_F065CT-ND
FDMC7696CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
型号：
STI4N62K3
仓库库存编号：
497-12262-ND
别名：497-12262
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
型号：
TK8P60W5,RVQ
仓库库存编号：
TK8P60W5RVQCT-ND
别名：TK8P60W5RVQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU4N62K3
仓库库存编号：
497-12364-ND
别名：497-12364
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF14N80K5
仓库库存编号：
STF14N80K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
型号：
STB15N65M5
仓库库存编号：
497-12969-1-ND
别名：497-12969-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF15N65M5
仓库库存编号：
497-13099-5-ND
别名：497-13099-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NM60ND
仓库库存编号：
STF8NM60ND-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） TO-220
型号：
STP14N80K5
仓库库存编号：
STP14N80K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI14N80K5
仓库库存编号：
STFI14N80K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
STB14N80K5
仓库库存编号：
STB14N80K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），20A（Tc） 4.1W（Ta），15.5W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7414
仓库库存编号：
AON7414-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），35A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6594
仓库库存编号：
AON6594-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），30A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7502
仓库库存编号：
AON7502-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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