规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
型号：
FDMC86160ET100
仓库库存编号：
FDMC86160ET100CT-ND
别名：FDMC86160ET100CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH5200FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH5200FNHL1QCT-ND
别名：TPH5200FNHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL15N65M5
仓库库存编号：
497-13966-1-ND
别名：497-13966-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta），10A（Tc） 2.8W（Ta），70W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL17N65M5
仓库库存编号：
497-15145-1-ND
别名：497-15145-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD15N65M5
仓库库存编号：
497-13641-1-ND
别名：497-13641-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C404NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
型号：
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名：IPL60R360P6SATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730APBF
仓库库存编号：
IRF730APBF-ND
别名：*IRF730APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP4N90C
仓库库存编号：
FQP4N90C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90C
仓库库存编号：
FQPF4N90C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASPBF
仓库库存编号：
IRF730ASPBF-ND
别名：*IRF730ASPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP9N30
仓库库存编号：
FQP9N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R330P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R330P6XKSA1-ND
别名：SP001017060
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 53W（Tc） TO-220FM
型号：
R6011KNX
仓库库存编号：
R6011KNX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8A60W5,S5VX
仓库库存编号：
TK8A60W5S5VX-ND
别名：TK8A60W5,S5VX(M
TK8A60W5S5VX
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF4N62K3
仓库库存编号：
497-12580-5-ND
别名：497-12580-5
STF4N62K3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R385CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R385CPXKSA1-ND
别名：IPA60R385CP
IPA60R385CP-ND
SP000089316
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 93W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R330P6FKSA1
仓库库存编号：
IPW60R330P6FKSA1-ND
别名：SP001017084
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10N95K5
仓库库存编号：
497-14552-5-ND
别名：497-14552-5
STF10N95K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF12N65M5
仓库库存编号：
497-10569-5-ND
别名：497-10569-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI9407BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI9407BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI9407BDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
型号：
TPCF8107,LF
仓库库存编号：
TPCF8107LFCT-ND
别名：TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90CT
仓库库存编号：
FQPF4N90CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 124W（Tc） TO-263
型号：
R6011KNJTL
仓库库存编号：
R6011KNJTLCT-ND
别名：R6011KNJTLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9620STRLPBFCT-ND
别名：IRF9620STRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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