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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：STW10N95K5
  仓库库存编号：497-14579-5-ND
  别名：497-14579-5
  STW10N95K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7670
  仓库库存编号：FDMA7670CT-ND
  别名：FDMA7670CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPN7R506NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 42A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6218-40C,118
  仓库库存编号：1727-5509-1-ND
  别名：1727-5509-1
  568-6987-1
  568-6987-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS436DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS436DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS436DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R006PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R006PLL1QCT-ND
  别名：TPH7R006PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
  
  型号：SQJ202EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ202EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ202EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 23A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP23NQ11T,127
  仓库库存编号：1727-4642-ND
  别名：1727-4642
  568-5759
  568-5759-5
  568-5759-5-ND
  568-5759-ND
  934058501127
  PHP23NQ11T
  PHP23NQ11T,127-ND
  PHP23NQ11T-ND
  PHP23NQ11T127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Tc） 96W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R299CP
  仓库库存编号：IPL60R299CPCT-ND
  别名：IPL60R299CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI4N62K3
  仓库库存编号：497-13268-5-ND
  别名：497-13268-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15N65M5
  仓库库存编号：497-13161-ND
  别名：497-13161
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12N65M5
  仓库库存编号：497-10304-5-ND
  别名：497-10304-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E100BNTB
  仓库库存编号：RQ3E100BNTBCT-ND
  别名：RQ3E100BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3028LFDE-13
  仓库库存编号：DMP3028LFDE-13DICT-ND
  别名：DMP3028LFDE-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.2A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7694
  仓库库存编号：FDMS7694CT-ND
  别名：FDMS7694CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 27A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMP3028LK3-13
  仓库库存编号：DMP3028LK3-13DICT-ND
  别名：DMP3028LK3-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4480
  仓库库存编号：785-1040-1-ND
  别名：785-1040-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E075ATTCR
  仓库库存编号：RF4E075ATTCRCT-ND
  别名：RF4E075ATTCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7692A
  仓库库存编号：FDMS7692ACT-ND
  别名：FDMS7692ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4948BEY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4948BEY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4948BEY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI9407BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9407BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9407BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1400ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1400ANHL1QCT-ND
  别名：TPH1400ANHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86102L
  仓库库存编号：FDMC86102LFSCT-ND
  别名：FDMC86102LFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL8N10F7
  仓库库存编号：497-14991-1-ND
  别名：497-14991-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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