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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23-3
  
  型号：SI2347DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2347DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2347DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 2.4W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：IRFM120ATF
  仓库库存编号：IRFM120ATFCT-ND
  别名：IRFM120ATFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9407
  仓库库存编号：NDS9407CT-ND
  别名：NDS9407CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：STD44N4LF6
  仓库库存编号：497-11098-1-ND
  别名：497-11098-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4948BEY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4948BEY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4948BEY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7630
  仓库库存编号：FDMA7630CT-ND
  别名：FDMA7630CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102LZ
  仓库库存编号：FDMC86102LZCT-ND
  别名：FDMC86102LZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86139P
  仓库库存编号：FDMC86139PCT-ND
  别名：FDMC86139PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），30A（Tc） 3W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7534
  仓库库存编号：785-1604-1-ND
  别名：785-1604-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 51W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R0-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4170-1-ND
  别名：1727-4170-1
  568-4686-1
  568-4686-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055-100T1G
  仓库库存编号：NTF3055-100T1GOSCT-ND
  别名：NTF3055-100T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3427AEEV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ3427AEEV-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7309DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7309DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7309DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7309DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7309DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7309DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD04N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N50C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86102LZ
  仓库库存编号：FDMS86102LZCT-ND
  别名：FDMS86102LZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPATMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9620PBF
  仓库库存编号：IRF9620PBF-ND
  别名：*IRF9620PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N65M5
  仓库库存编号：497-12936-5-ND
  别名：497-12936-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N80K5
  仓库库存编号：497-15113-5-ND
  别名：497-15113-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7692
  仓库库存编号：FDMS7692CT-ND
  别名：FDMS7692CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3028LFDE-7
  仓库库存编号：DMP3028LFDE-7DICT-ND
  别名：DMP3028LFDE-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4838
  仓库库存编号：785-1688-1-ND
  别名：785-1688-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 150V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta），19A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD256
  仓库库存编号：785-1476-1-ND
  别名：785-1476-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N95K5
  仓库库存编号：497-14568-5-ND
  别名：497-14568-5
  STP10N95K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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