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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5P10
  仓库库存编号：FQP5P10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 4.5A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5P10TU
  仓库库存编号：FQI5P10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 7A（Tc） 3.75W（Ta），45W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7P06TU
  仓库库存编号：FQI7P06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P06TF
  仓库库存编号：FQD7P06TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4.5A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5P10TM
  仓库库存编号：FQB5P10TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 7A（Tc） 3.75W（Ta），45W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P06TM
  仓库库存编号：FQB7P06TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P06TM_NB82050
  仓库库存编号：FQD7P06TM_NB82050-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU7P06TU_NB82048
  仓库库存编号：FQU7P06TU_NB82048-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P06TM_F080
  仓库库存编号：FQD7P06TM_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 450mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD213
  仓库库存编号：IRFD213-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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