规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 41W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMN60H4D5SK3-13
仓库库存编号：
DMN60H4D5SK3-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta），4A（Tc） 3.1W（Ta），33W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7460
仓库库存编号：
785-1313-1-ND
别名：785-1313-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD214PBF
仓库库存编号：
IRFD214PBF-ND
别名：*IRFD214PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR214PBF
仓库库存编号：
IRFR214PBF-ND
别名：*IRFR214PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR214TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR214TRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU7S60
仓库库存编号：
AOU7S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF614PBF
仓库库存编号：
IRF614PBF-ND
别名：*IRF614PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 2.1A（Tc） 23W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI614GPBF
仓库库存编号：
IRFI614GPBF-ND
别名：*IRFI614GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-220
型号：
AOT7S60L
仓库库存编号：
785-1269-5-ND
别名：785-1269-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 34W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF7S60L
仓库库存编号：
785-1521-5-ND
别名：AOTF7S60L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 25W（Tc）
型号：
AOWF7S60
仓库库存编号：
AOWF7S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） I2PAK
型号：
IRF610LPBF
仓库库存编号：
IRF610LPBF-ND
别名：*IRF610LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-262
型号：
AOW7S60
仓库库存编号：
AOW7S60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB7S60L
仓库库存编号：
785-1263-1-ND
别名：785-1263-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF610STRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRRPBF
仓库库存编号：
IRF610STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614STRRPBF
仓库库存编号：
IRF614STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD214
仓库库存编号：
IRFD214-ND
别名：*IRFD214
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50R1K4CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD50R1K4CEAUMA1-ND
别名：SP001396808
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU50R1K4CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU50R1K4CEAKMA1-ND
别名：SP001396810
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD210
仓库库存编号：
IRFD210-ND
别名：*IRFD210
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF610
仓库库存编号：
IRF610-ND
别名：*IRF610
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR210TR
仓库库存编号：
IRFR210TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614S
仓库库存编号：
IRF614S-ND
别名：*IRF614S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610S
仓库库存编号：
IRF610S-ND
别名：*IRF610S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V,
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