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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S2L05AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N06S2L05AKSA1-ND
  别名：IPP100N06S2L-05
  IPP100N06S2L-05-ND
  SP000218879
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1405ZSTRL7PP
  仓库库存编号：IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
  别名：IRF1405ZSTRL7PPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 150A TO263CA-7
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263CA-7
  
  型号：IRF1405ZL-7PPBF
  仓库库存编号：IRF1405ZL-7PPBF-ND
  别名：SP001563240
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 135A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF2805S
  仓库库存编号：AUIRF2805S-ND
  别名：SP001519486
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRFS4010-7P
  仓库库存编号：AUIRFS4010-7P-ND
  别名：AUIRFS40107P
  SP001516602
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF5210S
  仓库库存编号：AUIRF5210S-ND
  别名：SP001519218
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S2L03AKSA2
  仓库库存编号：IPP100N04S2L03AKSA2-ND
  别名：SP001063638
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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