规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF5210STRL
仓库库存编号：
AUIRF5210STRLTR-ND
别名：AUIRF5210STRLTR
SP001519458
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF2805
仓库库存编号：
AUIRF2805-ND
别名：SP001517278
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 34A（Tc） 450W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS35N50LPBF
仓库库存编号：
IRFPS35N50LPBF-ND
别名：*IRFPS35N50LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 46A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP260
仓库库存编号：
IRFP260X-ND
别名：IRFP260X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N04TUJ-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
型号：
NP88N075KUE-E1-AY
仓库库存编号：
NP88N075KUE-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-220-3
型号：
NP88N075MUE-S18-AY
仓库库存编号：
NP88N075MUE-S18-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
型号：
NP180N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号：
NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
别名：NP180N055TUJ-E1-AY-ND
NP180N055TUJ-E1-AYTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF1405ZS-7P
仓库库存编号：
IRF1405ZS-7P-ND
别名：*IRF1405ZS-7P
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF1405ZSTRL-7P
仓库库存编号：
IRF1405ZSTRL-7P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 135A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF2805LPBF
仓库库存编号：
IRF2805LPBF-ND
别名：*IRF2805LPBF
SP001571164
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N04S2L-03-ND
别名：SP000013712
SPB100N04S2L03T
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2L-05-ND
别名：SP000013714
SPB100N06S2L05T
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
SPB160N04S2L03DTMA1
仓库库存编号：
SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
别名：SP000014639
SPB160N04S2L-03
SPB160N04S2L-03-ND
SPB160N04S2L03T
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-05-ND
别名：SP000016352
SPB80N06S2L05T
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-05-ND
别名：SP000016360
SPI80N06S2L05
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N04S2L-03-ND
别名：SP000013719
SPP100N04S2L03
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2L-05-ND
别名：SP000013721
SPP100N06S2L05
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-05-ND
别名：SP000012474
SPP80N06S2L05
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUXAKF1405ZS-7P
仓库库存编号：
AUXAKF1405ZS-7P-ND
别名：IRF1405ZS-7PPBF
IRF1405ZS-7PPBF-ND
SP001518940
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 230nC @ 10V,
无铅
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