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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M016A060H
  仓库库存编号：1560-1187-5-ND
  别名：1560-1187-1
  1560-1187-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
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  无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M016A060N
  仓库库存编号：1560-1188-5-ND
  别名：1560-1188-1
  1560-1188-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TR
  仓库库存编号：IRF7493TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP119NQ06T,127
  仓库库存编号：PHP119NQ06T,127-ND
  别名：934058552127
  PHP119NQ06T
  PHP119NQ06T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 34V 75A（Tc） 172W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7L11-34ARC,127
  仓库库存编号：BUK7L11-34ARC,127-ND
  别名：934057492127
  BUK7L11-34ARC
  BUK7L11-34ARC-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB119NQ06T,118
  仓库库存编号：PHB119NQ06T,118-ND
  别名：934058551118
  PHB119NQ06T /T3
  PHB119NQ06T /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7494TRPBF
  仓库库存编号：IRF7494TRPBFCT-ND
  别名：IRF7494TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 53nC @ 10V,
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  无铅
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