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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C673NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C673NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C673NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C673NLTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C673NLTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C673NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C673NLWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Ta） 680mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4840NR2G
  仓库库存编号：NTMS4840NR2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 700mW（Ta），15W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8067-HLQ(S
  TPCC8067HLQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60S5HKSA1-ND
  别名：SP000012390
  SP000681016
  SPP02N60S5
  SPP02N60S5-ND
  SPP02N60S5IN
  SPP02N60S5IN-ND
  SPP02N60S5X
  SPP02N60S5XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60S5BKMA1-ND
  别名：SPU02N60S5
  SPU02N60S5-ND
  SPU02N60S5IN
  SPU02N60S5IN-ND
  SPU02N60S5X
  SPU02N60S5XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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