规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
型号：
IRL3303L
仓库库存编号：
IRL3303L-ND
别名：*IRL3303L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303D1
仓库库存编号：
IRL3303D1-ND
别名：*IRL3303D1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1S
仓库库存编号：
IRL3303D1S-ND
别名：*IRL3303D1S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1STRL
仓库库存编号：
IRL3303D1STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303STRL
仓库库存编号：
IRL3303STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303STRR
仓库库存编号：
IRL3303STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRL
仓库库存编号：
IRLR3303TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRR
仓库库存编号：
IRLR3303TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
型号：
94-3250
仓库库存编号：
94-3250CT-ND
别名：*IRF6604
IRF6604CT
IRF6604CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3709Z
仓库库存编号：
IRFR3709Z-ND
别名：*IRFR3709Z
SP001555082
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCS
仓库库存编号：
IRF3709ZCS-ND
别名：*IRF3709ZCS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZCL
仓库库存编号：
IRF3709ZCL-ND
别名：*IRF3709ZCL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZL
仓库库存编号：
IRF3709ZL-ND
别名：*IRF3709ZL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZS
仓库库存编号：
IRF3709ZS-ND
别名：*IRF3709ZS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZCSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3709ZPBF
仓库库存编号：
IRFU3709ZPBF-ND
别名：*IRFU3709ZPBF
SP001552414
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZCLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZCLPBF-ND
别名：*IRF3709ZCLPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZLPBF-ND
别名：*IRF3709ZLPBF
SP001574636
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZSPBF-ND
别名：*IRF3709ZSPBF
SP001551038
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303PBF
仓库库存编号：
IRL3303PBF-ND
别名：*IRL3303PBF
SP001568314
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303SPBF
仓库库存编号：
IRL3303SPBF-ND
别名：*IRL3303SPBF
SP001573716
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303PBF
仓库库存编号：
IRLU3303PBF-ND
别名：*IRLU3303PBF
SP001577150
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V,
无铅
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