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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03
仓库库存编号：
NTP85N03OS-ND
别名：NTP85N03OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP90N02
仓库库存编号：
NTP90N02OS-ND
别名：NTP90N02OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK
型号：
NTB90N02T4
仓库库存编号：
NTB90N02T4OSCT-ND
别名：NTB90N02T4OSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03T4G
仓库库存编号：
NTB85N03T4GOS-ND
别名：NTB85N03T4GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP90N02G
仓库库存编号：
NTP90N02GOS-ND
别名：NTP90N02GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03RG
仓库库存编号：
NTP85N03RGOS-ND
别名：NTP85N03RGOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB85N03G
仓库库存编号：
NTB85N03G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 85A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP85N03G
仓库库存编号：
NTP85N03G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK
型号：
NTB90N02T4G
仓库库存编号：
NTB90N02T4GOSCT-ND
别名：NTB90N02T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5475DC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5475DC-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5475DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5475DC-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A40PZCTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A40PZCTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.4A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A40PZCTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A40PZCTBG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1
仓库库存编号：
IRF7322D1-ND
别名：*IRF7322D1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1TR
仓库库存编号：
IRF7322D1TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7322D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7322D1PBFCT-ND
别名：*IRF7322D1TRPBF
IRF7322D1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6626TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6626TR1PBFCT-ND
别名：IRF6626TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.2A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7314QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7314QTRPBFCT-ND
别名：IRF7314QTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6614
仓库库存编号：
IRF6614-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6614TR1
仓库库存编号：
IRF6614TR1-ND
别名：SP001525534
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V,
含铅
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