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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 27A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100P
  仓库库存编号：IXFN32N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 45A 190W Chassis Mount TO-240AA
  
  型号：VMM45-02F
  仓库库存编号：VMM45-02F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN26N120P
  仓库库存编号：IXFN26N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB8407
  仓库库存编号：IRAUIRFB8407-ND
  别名：IRAUIRFB8407
  SP001517430
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRFSL8407
  仓库库存编号：IRAUIRFSL8407-ND
  别名：IRAUIRFSL8407
  SP001517488
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8407TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFS8407TRL-ND
  别名：IFAUIRFS8407TRL
  SP001520480
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRFS8407-7TRL
  仓库库存编号：AUIRFS8407-7TRL-ND
  别名：SP001516126
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 240A（Tc） 300W（Tc） TO-262-3 宽型
  
  型号：AUIRF2804WL
  仓库库存编号：AUIRF2804WL-ND
  别名：SP001521514
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M38BVFRG
  仓库库存编号：APT20M38BVFRG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT20M38SVFRG
  仓库库存编号：APT20M38SVFRG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT30M70SVRG
  仓库库存编号：APT30M70SVRG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 150A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM150-0075P
  仓库库存编号：FMM150-0075P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 75A（Tc） 3.7W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP75P05-08-E3
  仓库库存编号：SUP75P05-08-E3-ND
  别名：SUP75P05-08-E3CT
  SUP75P05-08-E3CT-ND
  SUP75P0508E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N06L G
  仓库库存编号：IPP048N06LGIN-ND
  别名：IPP048N06L G-ND
  IPP048N06LGIN
  IPP048N06LGX
  IPP048N06LGXK
  SP000204180
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB048N06LGATMA1
  仓库库存编号：IPB048N06LGATMA1CT-ND
  别名：IPB048N06LG
  IPB048N06LGINCT
  IPB048N06LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7437GPBF
  仓库库存编号：IRFB7437GPBF-ND
  别名：SP001575504
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7437TRLPBF
  仓库库存编号：IRFSL7437TRLPBF-ND
  别名：SP001567740
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 225nC @ 10V,
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