以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7461DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7461DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7461DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N50Q
  仓库库存编号：IXFX48N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150NF55
  仓库库存编号：497-6117-5-ND
  别名：497-6117-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUP70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUP70101EL-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM70101EL-GE3
  仓库库存编号：SUM70101EL-GE3CT-ND
  别名：SUM70101EL-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH170N25X3
  仓库库存编号：IXFH170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK170N25X3
  仓库库存编号：IXFK170N25X3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 45A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8120,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8120LQ(CM-ND
  别名：TPCA8120LQ(CM
  TPCA8120LQCM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
  
  型号：SQV120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQV120N10-3M8_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120P10_10M1LGE3
  仓库库存编号：SQM120P10_10M1LGE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQP120N10-3M8_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N15P
  仓库库存编号：IXTQ150N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N15P
  仓库库存编号：IXFH150N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50
  仓库库存编号：IXTH24N50-ND
  别名：Q2768977
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK150N15P
  仓库库存编号：IXTK150N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N15P
  仓库库存编号：IXFK150N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 94A（Tc） 890W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH94N30T
  仓库库存编号：IXFH94N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N50Q
  仓库库存编号：IXFT30N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 540W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR80N60P3
  仓库库存编号：IXFR80N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 94A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT94N30T
  仓库库存编号：IXFT94N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT32N50Q
  仓库库存编号：IXFT32N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 90A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX90N20Q
  仓库库存编号：IXFX90N20Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT60N60SCSG/TR
  仓库库存编号：APT60N60SCSG/TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX44N50Q
  仓库库存编号：IXFX44N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 34A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q
  仓库库存编号：IXFR44N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索