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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 44A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXFT44N50Q3
仓库库存编号：
IXFT44N50Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 123A（Tc） 99W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS8403TRL
仓库库存编号：
IFAUIRFS8403TRL-ND
别名：IFAUIRFS8403TRL
SP001518080
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 123A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 123A（Tc） 99W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFSL8403
仓库库存编号：
IRAUIRFSL8403-ND
别名：IRAUIRFSL8403
SP001520686
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名：SP001080092
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 150A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 150A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD150NH02LT4
仓库库存编号：
497-4750-1-ND
别名：497-4750-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD110NH02LT4
仓库库存编号：
STD110NH02LT4-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 24V 150A（Tc） 125W（Tc） I-Pak
型号：
STD150NH02L-1
仓库库存编号：
STD150NH02L-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24V 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP130NH02L
仓库库存编号：
STP130NH02L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV36N50P
仓库库存编号：
IXFV36N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV36N50PS
仓库库存编号：
IXFV36N50PS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC36N50P
仓库库存编号：
IXFC36N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 39A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 39A（Ta），49A（Tc） 3.3W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS2506SDC
仓库库存编号：
FDMS2506SDCCT-ND
别名：FDMS2506SDCCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP55N03SUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP55N03SUG-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
型号：
NP60N03KUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP60N03KUG-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.5W（Ta），104W（Tc） TO-263
型号：
2SK3943-ZP-E1-AY
仓库库存编号：
2SK3943-ZP-E1-AYCT-ND
别名：2SK3943-ZP-E1-AYCT
2SK3943ZPE1AY
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 450V 39A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK4518DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK4518DPK-00#T0-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） TO-262
型号：
IRF1104L
仓库库存编号：
IRF1104L-ND
别名：*IRF1104L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104S
仓库库存编号：
IRF1104S-ND
别名：*IRF1104S
SP001563014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104STRL
仓库库存编号：
IRF1104STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1104STRR
仓库库存编号：
IRF1104STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N06N G
仓库库存编号：
IPP080N06N G-ND
别名：IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名：IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名：IRFR3505TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名：IPB065N15N3 G E8187CT
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 93nC @ 10V,
无铅
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