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IXYS
MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH35N30
仓库库存编号：
IXFH35N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK66N50Q2
仓库库存编号：
IXFK66N50Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR66N50Q2
仓库库存编号：
IXFR66N50Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX66N50Q2
仓库库存编号：
IXFX66N50Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 128A（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC250N075T
仓库库存编号：
IXTC250N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 145A（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC280N055T
仓库库存编号：
IXTC280N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4
详细描述：通孔 N 沟道 75V 140A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF250N075T
仓库库存编号：
IXTF250N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF280N055T
仓库库存编号：
IXTF280N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH250N075T
仓库库存编号：
IXTH250N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH280N055T
仓库库存编号：
IXTH280N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ250N075T
仓库库存编号：
IXTQ250N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ280N055T
仓库库存编号：
IXTQ280N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV250N075T
仓库库存编号：
IXTV250N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 250A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV250N075TS
仓库库存编号：
IXTV250N075TS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV280N055T
仓库库存编号：
IXTV280N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 280A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV280N055TS
仓库库存编号：
IXTV280N055TS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TDUM19PG
仓库库存编号：
APTM10TDUM19PG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFJ40N30
仓库库存编号：
IXFJ40N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 200A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXUC200N055
仓库库存编号：
IXUC200N055-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
型号：
NP83P04PDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP83P04PDG-E1-AYCT-ND
别名：NP83P04PDG-E1-AYCT
NP83P04PDGE1AY
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH35N30Q
仓库库存编号：
IXFH35N30Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFJ40N30Q
仓库库存编号：
IXFJ40N30Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3415S
仓库库存编号：
IRF3415S-ND
别名：*IRF3415S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
94-2110
仓库库存编号：
94-2110-ND
别名：*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 206A（Tc） 300W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1404P
仓库库存编号：
IRFBA1404P-ND
别名：*IRFBA1404P
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
含铅
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