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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 20A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT20N80Q
仓库库存编号：
IXFT20N80Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N80P
仓库库存编号：
IXFN44N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX60N55Q2
仓库库存编号：
IXFX60N55Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 550V 60A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK60N55Q2
仓库库存编号：
IXFK60N55Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 80A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX80N50Q3
仓库库存编号：
IXFX80N50Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DDAM19T3G
仓库库存编号：
APTM10DDAM19T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DSKM19T3G
仓库库存编号：
APTM10DSKM19T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 71A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M50JLL
仓库库存编号：
APT50M50JLL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10HM19FT3G
仓库库存编号：
APTM10HM19FT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN5N250
仓库库存编号：
IXTN5N250-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 2500V 5A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX5N250
仓库库存编号：
IXTX5N250-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TAM19FPG
仓库库存编号：
APTM10TAM19FPG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1503PBF
仓库库存编号：
IRF1503PBF-ND
别名：*IRF1503PBF
SP001561384
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1503STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1503STRLPBF-ND
别名：SP001550938
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名：IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1503SPBF
仓库库存编号：
IRF1503SPBF-ND
别名：*IRF1503SPBF
SP001561632
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 206A（Tc） 300W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1404PPBF
仓库库存编号：
IRFBA1404PPBF-ND
别名：*IRFBA1404PPBF
SP001565842
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 43A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3415
仓库库存编号：
AUIRF3415-ND
别名：SP001516548
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1404STRL
仓库库存编号：
AUIRF1404STRL-ND
别名：SP001517298
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRF3805S-7TRL
仓库库存编号：
AUIRF3805S-7TRL-ND
别名：SP001516538
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7
详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
AUIRF3805L-7P
仓库库存编号：
AUIRF3805L-7P-ND
别名：SP001515798
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 29A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW29NK50ZD
仓库库存编号：
497-5768-ND
别名：497-5768
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.8A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE50
仓库库存编号：
IRFPE50-ND
别名：*IRFPE50
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
含铅
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