规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6768
仓库库存编号：
JANTX2N6768-ND
别名：JANTX2N6768-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6768T1
仓库库存编号：
JANTX2N6768T1-ND
别名：JANTX2N6768T1-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7227
仓库库存编号：
JANTX2N7227-ND
别名：JANTX2N7227-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7227U
仓库库存编号：
JANTX2N7227U-ND
别名：JANTX2N7227U-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
型号：
JANTXV2N6768
仓库库存编号：
JANTXV2N6768-ND
别名：JANTXV2N6768-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6768T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6768T1-ND
别名：JANTXV2N6768T1-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7227
仓库库存编号：
JANTXV2N7227-ND
别名：JANTXV2N7227-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7227U
仓库库存编号：
JANTXV2N7227U-ND
别名：JANTXV2N7227U-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7227
仓库库存编号：
2N7227-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7227U
仓库库存编号：
2N7227U-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6768
仓库库存编号：
2N6768-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Ta） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6768T1
仓库库存编号：
2N6768T1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK3431-AZ
仓库库存编号：
2SK3431-AZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 83A（Tc） 1.5W（Ta），100W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK3431-Z-E1-AZ
仓库库存编号：
2SK3431-Z-E1-AZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 160W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP150N
仓库库存编号：
IRFP150N-ND
别名：*IRFP150N
SP001572746
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL31N20D
仓库库存编号：
IRFSL31N20D-ND
别名：*IRFSL31N20D
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB41N15D
仓库库存编号：
IRFB41N15D-ND
别名：*IRFB41N15D
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） TO-262
型号：
IRF1310NL
仓库库存编号：
IRF1310NL-ND
别名：*IRF1310NL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRR
仓库库存编号：
IRF1310NSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS31N20DTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） TO-262
型号：
IRFSL41N15D
仓库库存编号：
IRFSL41N15D-ND
别名：*IRFSL41N15D
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU2407
仓库库存编号：
IRFU2407-ND
别名：*IRFU2407
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48VS
仓库库存编号：
IRFZ48VS-ND
别名：*IRFZ48VS
SP001557876
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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