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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM70-01P2
  仓库库存编号：GWM70-01P2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC110N10P
  仓库库存编号：IXFC110N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 24A（Tc） 100W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC52N30P
  仓库库存编号：IXFC52N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 42A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC96N15P
  仓库库存编号：IXFC96N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 560W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N50Q2
  仓库库存编号：IXFH40N50Q2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 110A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV110N10P
  仓库库存编号：IXFV110N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 110A（Tc） 480W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV110N10PS
  仓库库存编号：IXFV110N10PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV52N30PS
  仓库库存编号：IXFV52N30PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 96A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV96N15P
  仓库库存编号：IXFV96N15P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 96A（Tc） 480W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV96N15PS
  仓库库存编号：IXFV96N15PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 34A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4642DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4642DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4642DY-T1-E3CT
  SI4642DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA46N15_F109
  仓库库存编号：FQA46N15_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 33.5A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI34P10TU
  仓库库存编号：FQI34P10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06_NW82049
  仓库库存编号：FQP47P06_NW82049-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06_SW82049
  仓库库存编号：FQP47P06_SW82049-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK2376(Q)
  仓库库存编号：2SK2376(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK55D10J1(Q)
  仓库库存编号：TK55D10J1(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP32N20C_F080
  仓库库存编号：FQP32N20C_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60S-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60S-E3TR-ND
  别名：SIHB22N60S-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N10-16L-E3
  仓库库存编号：SUP60N10-16L-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT23F60S
  仓库库存编号：APT23F60S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6768
  仓库库存编号：JAN2N6768-ND
  别名：JAN2N6768-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6768T1
  仓库库存编号：JAN2N6768T1-ND
  别名：JAN2N6768T1-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7227
  仓库库存编号：JAN2N7227-ND
  别名：JAN2N7227-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-267AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JAN2N7227U
  仓库库存编号：JAN2N7227U-ND
  别名：JAN2N7227U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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