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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL31N20DTRR
  仓库库存编号：IRFSL31N20DTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ48L
  仓库库存编号：IRFZ48L-ND
  别名：*IRFZ48L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48S
  仓库库存编号：IRFZ48S-ND
  别名：*IRFZ48S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48STRL
  仓库库存编号：IRFZ48STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48STRR
  仓库库存编号：IRFZ48STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807ZSTRL
  仓库库存编号：IRF2807ZSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2807ZSTRR
  仓库库存编号：IRF2807ZSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205ZSTRL
  仓库库存编号：IRF3205ZSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205ZSTRR
  仓库库存编号：IRF3205ZSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 29A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR40N50Q2
  仓库库存编号：IXFR40N50Q2-ND
  别名：Q2467741A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI3632
  仓库库存编号：FDI3632FS-ND
  别名：FDI3632-ND
  FDI3632FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 28A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI32N20CTU
  仓库库存编号：FQI32N20CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 28A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB32N20CTM
  仓库库存编号：FQB32N20CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 47A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI47P06TU
  仓库库存编号：FQI47P06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 3.75W（Ta），210W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB46N15TM_AM002
  仓库库存编号：FQB46N15TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB70N10TM_AM002
  仓库库存编号：FQB70N10TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 34A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 34A（Tc） 204W（Tc） TO-3P
  
  型号：SFH154
  仓库库存编号：SFH154-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 25.6A（Tc） 66W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF46N15
  仓库库存编号：FQPF46N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 38A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF47P06
  仓库库存编号：FQAF47P06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 55A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA47P06
  仓库库存编号：FQA47P06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 71A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 71A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP90N08
  仓库库存编号：FQP90N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 214W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH70N10
  仓库库存编号：FQH70N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 56A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF90N08
  仓库库存编号：FQAF90N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 24A（Tc） 108W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF40N25
  仓库库存编号：FQAF40N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV52N30P
  仓库库存编号：IXFV52N30P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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