规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S4L05ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S4L05ATMA2-ND
别名：SP001028748
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF3205ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3205ZLPBF-ND
别名：*IRF3205ZLPBF
SP001564660
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 68A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7787TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7787TRPBFCT-ND
别名：IRFH7787TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S4L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S4L05ATMA2-ND
别名：SP001028720
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA4
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA4-ND
别名：SP001067870
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S207AKSA4
仓库库存编号：
IPP80N06S207AKSA4-ND
别名：SP001067876
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S207AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S207AKSA2-ND
别名：SP001067874
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIB41N15DPBF
仓库库存编号：
IRFIB41N15DPBF-ND
别名：*IRFIB41N15DPBF
SP001572654
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S303AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-03
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名：IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3407ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3407ZPBF-ND
别名：SP001560202
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRLP
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRLP-ND
别名：SP001573476
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218STRL
仓库库存编号：
AUIRF6218STRLTR-ND
别名：AUIRF6218STRLTR
SP001517990
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 105A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRFS4115-7P
仓库库存编号：
AUIRFS4115-7P-ND
别名：SP001519772
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 105A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
AUIRFS4115-7TRL
仓库库存编号：
AUIRFS4115-7TRL-ND
别名：SP001521180
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NB50
仓库库存编号：
497-2662-5-ND
别名：497-2662-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP50NE08
仓库库存编号：
497-2787-5-ND
别名：497-2787-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 40A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NS15
仓库库存编号：
STP40NS15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 40A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB40NS15T4
仓库库存编号：
497-7948-1-ND
别名：497-7948-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 37A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ48G
仓库库存编号：
IRFIZ48G-ND
别名：*IRFIZ48G
IRFIX48G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360LC
仓库库存编号：
IRFP360LC-ND
别名：*IRFP360LC
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.9A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC48
仓库库存编号：
IRFPC48-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48R
仓库库存编号：
IRFZ48R-ND
别名：*IRFZ48R
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
型号：
IRFSL31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFSL31N20DTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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