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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK39J60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK39J60WS1VQ-ND
别名：TK39J60W,S1VQ(O
TK39J60WS1VQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DPBF
仓库库存编号：
IRFS41N15DPBF-ND
别名：*IRFS41N15DPBF
SP001557332
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 204W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA32N20C
仓库库存编号：
FQA32N20C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB86566_F085
仓库库存编号：
FDB86566_F085CT-ND
别名：FDB86566_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF47P06YDTU
仓库库存编号：
FQPF47P06YDTU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB3632_F085
仓库库存编号：
FDB3632_F085CT-ND
别名：FDB3632_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N65E-GE3CT-ND
别名：SIHB22N65E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7424TRPBF
仓库库存编号：
IRF7424PBFCT-ND
别名：*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3307ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3307ZTRLPBFCT-ND
别名：IRFS3307ZTRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4321TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4321TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4321TRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7240TRPBF
仓库库存编号：
IRF7240TRPBFCT-ND
别名：IRF7240TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4229PBF
仓库库存编号：
IRFP4229PBF-ND
别名：SP001578046
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF22N65E-GE3-ND
别名：SIHF22N65E-GE3CT
SIHF22N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG22N65E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 240A MO299A
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL86566_F085
仓库库存编号：
FDBL86566_F085CT-ND
别名：FDBL86566_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
STP180NS04ZC
仓库库存编号：
STP180NS04ZC-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N02-3M5L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4182EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4182EY-T1_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF70N10
仓库库存编号：
FQPF70N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ410EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ410EP-T1_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48RPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RPBF-ND
别名：*IRFZ48RPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48SPBF
仓库库存编号：
IRFZ48SPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号：
IRFZ48RSPBF-ND
别名：*IRFZ48RSPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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