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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta），185A（Tc） 2.3W（Ta）, 64W（Tc） Power33
型号：
FDMC012N03
仓库库存编号：
FDMC012N03CT-ND
别名：FDMC012N03CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3205Z
仓库库存编号：
AUIRF3205Z-ND
别名：SP001518518
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7658ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7658ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7658ADP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB3632
仓库库存编号：
FDB3632CT-ND
别名：FDB3632CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFI4229PBF
仓库库存编号：
IRFI4229PBF-ND
别名：SP001575824
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA90N08
仓库库存编号：
FQA90N08-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7545TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7545TRPBFCT-ND
别名：IRFH7545TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8202TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8202TRPBFCT-ND
别名：IRFH8202TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号：
IRFR2407PBFCT-ND
别名：*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF2807ZSTRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3-03
仓库库存编号：
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3205ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF3205ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF3205ZSTRLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS4229TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4229TRLPBFCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48VPBF
仓库库存编号：
IRFZ48VPBF-ND
别名：*IRFZ48VPBF
SP001550284
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1310NPBF
仓库库存编号：
IRF1310NPBF-ND
别名：*IRF1310NPBF
SP001553864
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 160W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP150MPBF
仓库库存编号：
IRFP150MPBF-ND
别名：SP001552006
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP70N10
仓库库存编号：
FQP70N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF32N20C
仓库库存编号：
FQPF32N20C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4227PBF
仓库库存编号：
IRFI4227PBF-ND
别名：SP001564096
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA40N25
仓库库存编号：
FQA40N25FS-ND
别名：FQA40N25-ND
FQA40N25FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4321PBF
仓库库存编号：
IRFB4321PBF-ND
别名：SP001577790
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA46N15
仓库库存编号：
FQA46N15FS-ND
别名：FQA46N15-ND
FQA46N15FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
型号：
TK39N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK39N60WS1VF-ND
别名：TK39N60W,S1VF(S
TK39N60WS1VF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） TO-262
型号：
IRF9540NLPBF
仓库库存编号：
IRF9540NLPBF-ND
别名：SP001575378
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB41N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB41N15DPBF-ND
别名：*IRFB41N15DPBF
SP001575564
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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