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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807ZPBF
仓库库存编号：
IRF2807ZPBF-ND
别名：*IRF2807ZPBF
SP001574688
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 160W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP150NPBF
仓库库存编号：
IRFP150NPBF-ND
别名：*IRFP150NPBF
SP001564068
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 33.5A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB34P10TM_F085
仓库库存编号：
FQB34P10TM_F085CT-ND
别名：FQB34P10TM_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号：
IRFI4410ZPBF-ND
别名：SP001566742
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ48GPBF-ND
别名：*IRFIZ48GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA70N10
仓库库存编号：
FQA70N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 27A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF6218PBF
仓库库存编号：
IRF6218PBF-ND
别名：*IRF6218PBF
SP001564812
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4229PBF
仓库库存编号：
IRFB4229PBF-ND
别名：SP001565910
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360LCPBF
仓库库存编号：
IRFP360LCPBF-ND
别名：*IRFP360LCPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ52N30P
仓库库存编号：
IXTQ52N30P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK39A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK39A60WS4VX-ND
别名：TK39A60W,S4VX(M
TK39A60WS4VX
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
IRFB7545PBF
仓库库存编号：
IRFB7545PBF-ND
别名：SP001563968
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU2405PBF
仓库库存编号：
IRFU2405PBF-ND
别名：*IRFU2405PBF
64-4137PBF
64-4137PBF-ND
SP001571782
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 105A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS4115TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS4115TRL7PPCT-ND
别名：IRFS4115TRL7PPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3307ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3307ZPBF-ND
别名：SP001564038
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ48PBF
仓库库存编号：
IRFZ48PBF-ND
别名：*IRFZ48PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP048PBF
仓库库存编号：
IRFP048PBF-ND
别名：*IRFP048PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N65E-GE3-ND
别名：SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6035ENZ1C9
仓库库存编号：
R6035ENZ1C9-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6035ENZC8
仓库库存编号：
R6035ENZC8-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4228PBF
仓库库存编号：
IRFI4228PBF-ND
别名：SP001566198
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S215ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S215ATMA2CT-ND
别名：IPD30N06S215ATMA2CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
型号：
FDMS9408L_F085
仓库库存编号：
FDMS9408L_F085CT-ND
别名：FDMS9408L_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPHR6503PL,L1Q
仓库库存编号：
TPHR6503PLL1QCT-ND
别名：TPHR6503PLL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 350W（Tc） D2PAK-7
型号：
IRFS4321TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS4321TRL7PPCT-ND
别名：IRFS4321TRL7PPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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