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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4321GPBF
  仓库库存编号：IRFB4321GPBF-ND
  别名：SP001556020
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5250TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5250TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5250TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5004TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5004TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5004TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4L-05
  IPB80N06S4L-05-ND
  SP000415570
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S4L05ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S4L05ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4L-05
  IPD90N06S4L-05-ND
  SP000415588
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S4L05AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S4L05AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4L-05
  IPI80N06S4L-05-ND
  SP000415692
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S4L05AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S4L05AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4L-05
  IPP80N06S4L-05-ND
  SP000415708
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 45A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4229PBF
  仓库库存编号：IRFSL4229PBF-ND
  别名：SP001567750
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7424GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7424GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7424GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4410ZGPBF
  仓库库存编号：IRFI4410ZGPBF-ND
  别名：SP001572644
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 110W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFR2405
  仓库库存编号：AUIRFR2405-ND
  别名：SP001522238
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFR2407
  仓库库存编号：AUIRFR2407-ND
  别名：SP001520320
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3307Z
  仓库库存编号：AUIRFS3307Z-ND
  别名：SP001519782
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6218S
  仓库库存编号：AUIRF6218S-ND
  别名：SP001516490
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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