规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7240TR
仓库库存编号：
IRF7240TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7424TR
仓库库存编号：
IRF7424TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2405TRL
仓库库存编号：
IRFR2405TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2405TRR
仓库库存编号：
IRFR2405TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TR
仓库库存编号：
IRFR2407TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRL
仓库库存编号：
IRFR2407TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2407TRR
仓库库存编号：
IRFR2407TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807Z
仓库库存编号：
IRF2807Z-ND
别名：*IRF2807Z
SP001563202
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF2807ZL
仓库库存编号：
IRF2807ZL-ND
别名：*IRF2807ZL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807ZS
仓库库存编号：
IRF2807ZS-ND
别名：*IRF2807ZS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3205Z
仓库库存编号：
IRF3205Z-ND
别名：*IRF3205Z
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF3205ZL
仓库库存编号：
IRF3205ZL-ND
别名：*IRF3205ZL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3205ZS
仓库库存编号：
IRF3205ZS-ND
别名：*IRF3205ZS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 39A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFIZ48VPBF
仓库库存编号：
IRFIZ48VPBF-ND
别名：*IRFIZ48VPBF
SP001556666
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 170W（Tc） TO-262
型号：
IRF2807ZLPBF
仓库库存编号：
IRF2807ZLPBF-ND
别名：*IRF2807ZLPBF
SP001553914
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2-07
仓库库存编号：
SPB80N06S2-07-ND
别名：SP000013578
SPB80N06S207T
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-07
仓库库存编号：
SPI80N06S2-07-ND
别名：SP000013784
SPI80N06S207
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-07
仓库库存编号：
SPP80N06S2-07-ND
别名：SP000013579
SPP80N06S207
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3307ZPBF
仓库库存编号：
IRFSL3307ZPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 85A（Tc） 350W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4321PBF
仓库库存编号：
IRFSL4321PBF-ND
别名：SP001550194
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 72A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48VSTRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ48VSTRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S207AKSA1-ND
别名：IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3307ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB3307ZGPBF-ND
别名：SP001551736
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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