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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），189W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
  
  型号：STL57N65M5
  仓库库存编号：497-13520-1-ND
  别名：497-13520-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS413DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS413DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS413DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5292-1-ND
  别名：1727-5292-1
  568-6720-1
  568-6720-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 25A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8460
  仓库库存编号：FDMS8460CT-ND
  别名：FDMS8460CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB47P06TM_AM002
  仓库库存编号：FQB47P06TM_AM002CT-ND
  别名：FQB47P06TM_AM002CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06
  仓库库存编号：FQP47P06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF47P06
  仓库库存编号：FQPF47P06FS-ND
  别名：FQPF47P06-ND
  FQPF47P06FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）
  
  型号：SI8425DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8425DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8425DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2405TRPBF
  仓库库存编号：IRFR2405PBFCT-ND
  别名：*IRFR2405TRPBF
  IRFR2405PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 33.5A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB34P10TM
  仓库库存编号：FQB34P10TMCT-ND
  别名：FQB34P10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF6218STRLPBF
  仓库库存编号：IRF6218STRLPBFCT-ND
  别名：IRF6218STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP32N20C
  仓库库存编号：FQP32N20CFS-ND
  别名：FQP32N20C-ND
  FQP32N20CFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP46N15
  仓库库存编号：FQP46N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3632
  仓库库存编号：FDP3632-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4321PBF
  仓库库存编号：IRFI4321PBF-ND
  别名：SP001556676
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM85N15-19-E3
  仓库库存编号：SUM85N15-19-E3CT-ND
  别名：SUM85N15-19-E3-ND
  SUM85N15-19-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4321PBF
  仓库库存编号：IRFP4321PBF-ND
  别名：SP001575756
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB20N50KPBF
  仓库库存编号：IRFB20N50KPBF-ND
  别名：*IRFB20N50KPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 2.4W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N15-21-E3
  仓库库存编号：SUP85N15-21-E3-ND
  别名：SUP85N15-21-E3CT
  SUP85N15-21-E3CT-ND
  SUP85N1521E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH3632
  仓库库存编号：FDH3632FS-ND
  别名：FDH3632-ND
  FDH3632FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4136DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4136DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4136DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3205ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF3205ZSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1310NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1310NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1310NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3205ZPBF
  仓库库存编号：IRF3205ZPBF-ND
  别名：*IRF3205ZPBF
  64-0096PBF
  64-0096PBF-ND
  SP001574672
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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