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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 35A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3662(F)
  仓库库存编号：2SK3662(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK752R7-30B,127
  仓库库存编号：568-6622-5-ND
  别名：568-6622
  568-6622-5
  568-6622-ND
  934057086127
  BUK752R7-30B
  BUK752R7-30B,127-ND
  BUK752R7-30B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R7-30B,127
  仓库库存编号：568-6629-5-ND
  别名：568-6629
  568-6629-5
  568-6629-ND
  934058024127
  BUK7E2R7-30B
  BUK7E2R7-30B,127-ND
  BUK7E2R7-30B-ND
  BUK7E2R730B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB160NQ08T,118
  仓库库存编号：PHB160NQ08T,118-ND
  别名：934058283118
  PHB160NQ08T /T3
  PHB160NQ08T /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP160NQ08T,127
  仓库库存编号：PHP160NQ08T,127-ND
  别名：934058278127
  PHP160NQ08T
  PHP160NQ08T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3 GCT
  IPD068P03L3 GCT-ND
  IPD068P03L3GBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.8A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R310CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R310CEXKSA1-ND
  别名：SP001271076
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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  无铅
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