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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
型号：
DMPH4015SSS-13
仓库库存编号：
DMPH4015SSS-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMPH4015SPSQ-13
仓库库存编号：
DMPH4015SPSQ-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 85A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
型号：
EKI07076
仓库库存编号：
EKI07076-ND
别名：EKI07076 DK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 85A（Tc） 135W（Tc） TO-263
型号：
SKI07074
仓库库存编号：
SKI07074CT-ND
别名：SKI07074CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 1.6W（Ta），70W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8055-H,LQ(M
仓库库存编号：
TPCA8055-HLQ(M-ND
别名：TPCA8055-HLQ(M
TPCA8055HLQM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C612NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C612NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C612NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C612NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFT1G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80H29SCTG
仓库库存编号：
APTC80H29SCTG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名：SP001102592
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102622
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102616
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 43A（Tc） TO-262
型号：
IRFSL38N20DPBF
仓库库存编号：
IRFSL38N20DPBF-ND
别名：SP001557568
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30NM60N
仓库库存编号：
497-8447-5-ND
别名：497-8447-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB30NM60N
仓库库存编号：
497-8474-1-ND
别名：497-8474-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF30NM60N
仓库库存编号：
STF30NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
型号：
STI30NM60N
仓库库存编号：
STI30NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7506-75B,127
仓库库存编号：
568-6619-5-ND
别名：568-6619
568-6619-5
568-6619-ND
934057109127
BUK7506-75B
BUK7506-75B,127-ND
BUK7506-75B-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 91nC @ 10V,
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