规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N10F7
仓库库存编号：
497-13649-1-ND
别名：497-13649-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF11N90C
仓库库存编号：
FQAF11N90CFS-ND
别名：FQAF11N90C-ND
FQAF11N90CFS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB25NM60ND
仓库库存编号：
497-8473-1-ND
别名：497-8473-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
详细描述：通孔 P 沟道 28A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
2SJ652-1E
仓库库存编号：
2SJ652-1EOS-ND
别名：2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP050AN06A0
仓库库存编号：
FDP050AN06A0-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW34NM60N
仓库库存编号：
497-10975-5-ND
别名：497-10975-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG30PBF
仓库库存编号：
IRFPG30PBF-ND
别名：*IRFPG30PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 3W（Ta），65W（Tc） TO-3PF-3
型号：
2SK3748-1E
仓库库存编号：
2SK3748-1EOS-ND
别名：2SK3748-1E-ND
2SK3748-1EOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX450N20
仓库库存编号：
RCX450N20-ND
别名：RCX450N20CT
RCX450N20CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
STB150N3LH6
仓库库存编号：
497-13263-1-ND
别名：497-13263-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S209AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S209AKSA2-ND
别名：SP001061400
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD45NF75T4
仓库库存编号：
497-4334-1-ND
别名：497-4334-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.8W（Ta），83W（Tc） TO-252
型号：
FDD3670
仓库库存编号：
FDD3670CT-ND
别名：FDD3670CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
型号：
RCJ450N20TL
仓库库存编号：
RCJ450N20TLCT-ND
别名：RCJ450N20TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4LF6
仓库库存编号：
497-11097-1-ND
别名：497-11097-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5104TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5104TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5104TR2PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S209ATMA2CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7610-100B,118
仓库库存编号：
1727-5249-1-ND
别名：1727-5249-1
568-6573-1
568-6573-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 19.7A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4425DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4425DDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4425DDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
FQA11N90C_F109
仓库库存编号：
FQA11N90C_F109-ND
别名：FQA11N90CF109
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT7F120B
仓库库存编号：
APT7F120B-ND
别名：APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA02EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA02EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF12
仓库库存编号：
497-4381-5-ND
别名：497-4381-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25NM60ND
仓库库存编号：
STF25NM60ND-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB27NM60ND
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STB27NM60ND-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 80nC @ 10V,
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