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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
FDU8780
仓库库存编号：
FDU8780-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263
型号：
IXTI12N50P
仓库库存编号：
IXTI12N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7222DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7222DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7222DN-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16.5A（Ta），30A（Tc） 3.7W（Ta），32.6W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6780
仓库库存编号：
FDD6780CT-ND
别名：FDD6780CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
IRF630B_FP001
仓库库存编号：
IRF630B_FP001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 17.7A（Ta），30A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6776A
仓库库存编号：
FDD6776ACT-ND
别名：FDD6776ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
FDU8780_F071
仓库库存编号：
FDU8780_F071-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
IRF630BTSTU_FP001
仓库库存编号：
IRF630BTSTU_FP001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH5030AL,115
仓库库存编号：
PH5030AL,115-ND
别名：934063088115
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
型号：
NTD6415AN-1G
仓库库存编号：
NTD6415AN-1GOS-ND
别名：NTD6415AN-1G-ND
NTD6415AN-1GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 47W（Tc） DP
型号：
TK40P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 46A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
型号：
NTD5865NL-1G
仓库库存编号：
NTD5865NL-1GOS-ND
别名：NTD5865NL-1G-ND
NTD5865NL-1GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANT4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7222DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7222DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7222DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220FI（LS）
型号：
2SK4099LS
仓库库存编号：
2SK4099LS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 3.6W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4304
仓库库存编号：
785-1283-1-ND
别名：785-1283-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7788
仓库库存编号：
785-1406-1-ND
别名：785-1406-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 14A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK4512DPE-00#J3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK5012DPE-00#J3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK5012DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK5012DPP-E0#T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6804
仓库库存编号：
JAN2N6804-ND
别名：JAN2N6804-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6804
仓库库存编号：
JANTXV2N6804-ND
别名：JANTXV2N6804-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
2N6804
仓库库存编号：
2N6804-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD13AN06A0_F085-5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.9A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
2SK4099LS-1E
仓库库存编号：
2SK4099LS-1E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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