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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW24N60DM2
  仓库库存编号：497-14582-5-ND
  别名：497-14582-5
  STW24N60DM2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF24N60M2
  仓库库存编号：497-13577-5-ND
  别名：497-13577-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3686S
  仓库库存编号：FDMS3686SCT-ND
  别名：FDMS3686SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R299CP
  IPP60R299CPAKSA1
  IPP60R299CPIN
  IPP60R299CPIN-ND
  IPP60R299CPX
  IPP60R299CPXK
  IPP60R299CPXTIN
  IPP60R299CPXTIN-ND
  SP000084280
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF9N60NT
  仓库库存编号：FCPF9N60NT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU13N80K5
  仓库库存编号：497-17144-ND
  别名：497-17144
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 61W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN5R0-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4168-1-ND
  别名：1727-4168-1
  568-4684-1
  568-4684-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS5N15F3
  仓库库存编号：497-8903-1-ND
  别名：497-8903-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL25N15F3
  仓库库存编号：497-8785-1-ND
  别名：497-8785-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FCU850N80Z
  仓库库存编号：FCU850N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 18A TO281
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI24N60M2
  仓库库存编号：497-13598-5-ND
  别名：497-13598-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N65M2
  仓库库存编号：497-15276-5-ND
  别名：497-15276-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF24N65M2
  仓库库存编号：497-15270-5-ND
  别名：497-15270-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R299CP
  仓库库存编号：IPW60R299CP-ND
  别名：IPW60R299CPFKSA1
  IPW60R299CPX
  IPW60R299CPXK
  SP000103251
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI24N60M2
  仓库库存编号：497-13775-5-ND
  别名：497-13775-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP11NM65N
  仓库库存编号：497-13108-5-ND
  别名：497-13108-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW24N60M2
  仓库库存编号：497-13594-5-ND
  别名：497-13594-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL307SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120BNTB
  仓库库存编号：RQ3E120BNTBCT-ND
  别名：RQ3E120BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5440DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5440DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5440DC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
  
  型号：RMW200N03TB
  仓库库存编号：RMW200N03TBCT-ND
  别名：RMW200N03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP106-TL-H
  仓库库存编号：869-1075-1-ND
  别名：869-1075-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：STD28P3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16301-1-ND
  别名：497-16301-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6692A
  仓库库存编号：FDS6692ACT-ND
  别名：FDS6692ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3604S
  仓库库存编号：FDMS3604SCT-ND
  别名：FDMS3604SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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