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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N80K5
  仓库库存编号：497-13753-5-ND
  别名：497-13753-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5865NLT4G
  仓库库存编号：NTD5865NLT4GOSCT-ND
  别名：NTD5865NLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD13AN06A0
  仓库库存编号：FDD13AN06A0CT-ND
  别名：FDD13AN06A0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA14DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA14DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA14DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta），14A（Tc） 42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD4243
  仓库库存编号：FDD4243CT-ND
  别名：FDD4243CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8780
  仓库库存编号：FDD8780CT-ND
  别名：FDD8780CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9630PBF
  仓库库存编号：IRF9630PBF-ND
  别名：*IRF9630PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB320N20N3 G
  仓库库存编号：IPB320N20N3 GCT-ND
  别名：IPB320N20N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4020PBF
  仓库库存编号：IRFB4020PBF-ND
  别名：SP001564028
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630SPBF
  仓库库存编号：IRF9630SPBF-ND
  别名：IRF9630SPBFCT
  IRF9630SPBFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N60M2
  仓库库存编号：497-13556-5-ND
  别名：497-13556-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW13N80K5
  仓库库存编号：497-15160-5-ND
  别名：497-15160-5
  STW13N80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF24N60DM2
  仓库库存编号：497-15115-5-ND
  别名：497-15115-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 3.6W（Ta），31.2W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA14DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA14DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA14DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3303PBFCT-ND
  别名：*IRFR3303TRPBF
  IRFR3303PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZH
  仓库库存编号：NDF04N60ZHOS-ND
  别名：NDF04N60ZH-ND
  NDF04N60ZHOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DPBF
  仓库库存编号：IRFR13N15DPBF-ND
  别名：SP001556864
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP600N25N3 G
  仓库库存编号：IPP600N25N3 G-ND
  别名：IPP600N25N3G
  IPP600N25N3GXKSA1
  SP000677832
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP320N20N3 G
  仓库库存编号：IPP320N20N3 G-ND
  别名：IPP320N20N3G
  IPP320N20N3GXKSA1
  SP000677842
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4020H-117P
  仓库库存编号：IRFI4020H-117P-ND
  别名：IRFI4020H117P
  SP001556636
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N80K5
  仓库库存编号：497-13779-5-ND
  别名：497-13779-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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