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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NL
  仓库库存编号：IRF9Z34NL-ND
  别名：*IRF9Z34NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRR
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9Z34N
  仓库库存编号：IRFI9Z34N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NL
  仓库库存编号：IRF630NL-ND
  别名：*IRF630NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25D
  仓库库存编号：IRFR12N25D-ND
  别名：*IRFR12N25D
  SP001572818
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25D
  仓库库存编号：IRFU12N25D-ND
  别名：*IRFU12N25D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRR
  仓库库存编号：IRF630NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N60S5
  仓库库存编号：SPP07N60S5IN-ND
  别名：SPP07N60S5BKSA1
  SPP07N60S5IN
  SPP07N60S5X
  SPP07N60S5XTIN
  SPP07N60S5XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60S5
  仓库库存编号：SPD07N60S5INCT-ND
  别名：SPD07N60S5INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NLPBF
  仓库库存编号：IRF630NLPBF-ND
  别名：*IRF630NLPBF
  SP001559690
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NLPBF
  SP001570616
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DPBF-ND
  别名：*IRFR12N25DPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFU12N25DPBF-ND
  别名：*IRFU12N25DPBF
  SP001557708
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60S5T
  仓库库存编号：SPD07N60S5XTINCT-ND
  别名：SPD07N60S5XTINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11.6A（Tc） 8.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK12NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK12NQ10T,518-ND
  别名：934057347518
  PHK12NQ10T /T3
  PHK12NQ10T /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9936DY,518
  仓库库存编号：SI9936DY,518-ND
  别名：934056385518
  SI9936DY /T3
  SI9936DY /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI07N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPI07N60S5HKSA1-ND
  别名：SP000013025
  SP000680980
  SPI07N60S5
  SPI07N60S5-ND
  SPI07N60S5IN
  SPI07N60S5IN-ND
  SPI07N60S5X
  SPI07N60S5XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60S5
  仓库库存编号：SPU07N60S5IN-ND
  别名：SPU07N60S5-ND
  SPU07N60S5IN
  SPU07N60S5X
  SPU07N60S5XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB07N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB07N60S5INCT
  SPB07N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DCPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRRP
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCTRRP
  仓库库存编号：IRFR12N25DCTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRLP
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCTRLP
  仓库库存编号：IRFR12N25DCTRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRPBF-ND
  别名：SP001556902
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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