规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE800DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE800DF-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1055DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1055DPB-00#J5CT-ND
别名：RJK1055DPB-00#J5CT
RJK1055DPB00J5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4202
仓库库存编号：
785-1282-1-ND
别名：785-1282-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD208
仓库库存编号：
AOD208-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF8N60
仓库库存编号：
AOTF8N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 22A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6442
仓库库存编号：
785-1600-1-ND
别名：785-1600-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N04-10A-E3
仓库库存编号：
SUD40N04-10A-E3CT-ND
别名：SUD40N04-10A-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6756
仓库库存编号：
JAN2N6756-ND
别名：JAN2N6756-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
JANTX2N6756
仓库库存编号：
JANTX2N6756-ND
别名：JANTX2N6756-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 14A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6756
仓库库存编号：
JANTXV2N6756-ND
别名：JANTXV2N6756-MIL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6756
仓库库存编号：
2N6756-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
AOT10T60L
仓库库存编号：
785-1635-5-ND
别名：785-1635-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10T60
仓库库存编号：
785-1637-5-ND
别名：785-1637-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS330DN-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR330DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR330DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR330DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
GP2M010A060H
仓库库存编号：
GP2M010A060H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M013A050F
仓库库存编号：
1560-1212-5-ND
别名：1560-1212-1
1560-1212-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4202L
仓库库存编号：
AO4202L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10N50FD_001
仓库库存编号：
AOTF10N50FD_001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10T60L
仓库库存编号：
AOTF10T60L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4202_120
仓库库存编号：
AO4202_120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-262
型号：
AOW10T60
仓库库存编号：
AOW10T60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
型号：
AOWF10T60
仓库库存编号：
AOWF10T60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4105TR
仓库库存编号：
IRFL4105CT-ND
别名：*IRFL4105TR
IRFL4105CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
型号：
IRF630NS
仓库库存编号：
IRF630NS-ND
别名：*IRF630NS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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