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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 236W（Tc） TO-220
型号：
AOT9N70
仓库库存编号：
AOT9N70-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF9N70
仓库库存编号：
AOTF9N70-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C450NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C450NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF6N90
仓库库存编号：
AOTF6N90-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C450NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C450NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF9N70
仓库库存编号：
AOWF9N70-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ700DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ700DT-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 34A SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 34A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH8R008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH8R008NHL1QCT-ND
别名：TPH8R008NHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 700V 9A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 9A（Tc） 236W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB9N70L
仓库库存编号：
785-1719-1-ND
别名：785-1719-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4884BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4884BDY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10N50FD
仓库库存编号：
AOTF10N50FD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
型号：
NDPL100N10BG
仓库库存编号：
NDPL100N10BG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA100N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA100N10BT4H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0855DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0855DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG10N60SCT
仓库库存编号：
DMG10N60SCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N15NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC110N15NS5ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA7N80C_F109
仓库库存编号：
FQA7N80C_F109-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5013ANJTL
仓库库存编号：
R5013ANJTL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R6012ANJTL
仓库库存编号：
R6012ANJTL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M010A060F
仓库库存编号：
1560-1206-5-ND
别名：1560-1206-1
1560-1206-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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