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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014S
  仓库库存编号：FDPC8014SCT-ND
  别名：FDPC8014SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65WS1Q-ND
  别名：TK14C65W,S1Q(S
  TK14C65W,S1Q(S2
  TK14C65W,S1Q-ND
  TK14C65WS1Q
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：R6012FNJTL
  仓库库存编号：R6012FNJTLCT-ND
  别名：R6012FNJTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y18-75B,115
  仓库库存编号：1727-4606-1-ND
  别名：1727-4606-1
  568-5516-1
  568-5516-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB123N10N3 G
  仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
  别名：IPB123N10N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N65M2
  仓库库存编号：497-15456-1-ND
  别名：497-15456-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19533Q5A
  仓库库存编号：296-37479-1-ND
  别名：296-37479-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK14E65W,S1X
  仓库库存编号：TK14E65WS1X-ND
  别名：TK14E65W,S1X(S
  TK14E65W,S1X-ND
  TK14E65WS1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5013ANXFU6
  仓库库存编号：R5013ANXFU6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65X
  仓库库存编号：IXTP20N65X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 107A（Tc） 68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C453NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C453NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C453NLWFTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED625
  仓库库存编号：STDLED625-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STULED625
  仓库库存编号：STULED625-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED627
  仓库库存编号：STDLED627-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 90W（Tc） TO-220
  
  型号：STPLED627
  仓库库存编号：STPLED627-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP18NM60N
  仓库库存编号：497-10305-5-ND
  别名：497-10305-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFILED627
  仓库库存编号：STFILED627-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK30Z
  仓库库存编号：497-7502-5-ND
  别名：497-7502-5
  STP12NK30Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta），12A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL18NM60N
  仓库库存编号：497-11847-1-ND
  别名：497-11847-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF165N65S3L1
  仓库库存编号：FCPF165N65S3L1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW18NM60N
  仓库库存编号：497-10997-5-ND
  别名：497-10997-5
  STW18NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB4184
  仓库库存编号：AOB4184-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36.7W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7240
  仓库库存编号：785-1377-1-ND
  别名：785-1377-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6495NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6495NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD6495NLT4G
  NVD6495NLT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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