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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF3860T
仓库库存编号：
FDPF3860T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N25C
仓库库存编号：
FQPF9N25C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N50CF
仓库库存编号：
FQPF9N50CFFS-ND
别名：FQPF9N50CF-ND
FQPF9N50CFFS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP11N40C
仓库库存编号：
FQP11N40CFS-ND
别名：FQP11N40C-ND
FQP11N40CFS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP16N25
仓库库存编号：
FQP16N25FS-ND
别名：FQP16N25-ND
FQP16N25FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N80C
仓库库存编号：
FQP7N80C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK14A65W,S5X
仓库库存编号：
TK14A65WS5X-ND
别名：TK14A65W,S5X(M
TK14A65W,S5X-ND
TK14A65WS5X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RCJ120N25TL
仓库库存编号：
RCJ120N25TLCT-ND
别名：RCJ120N25TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17577Q5AT
仓库库存编号：
296-38337-1-ND
别名：296-38337-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF11N40C
仓库库存编号：
FQPF11N40CFS-ND
别名：FQPF11N40C-ND
FQPF11N40CFS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6012ANX
仓库库存编号：
R6012ANX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6012FNX
仓库库存编号：
R6012FNX-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
型号：
IXTP20N65XM
仓库库存编号：
IXTP20N65XM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA20N65X
仓库库存编号：
IXTA20N65X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH20N65X
仓库库存编号：
IXTH20N65X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STP5NK65ZFP
仓库库存编号：
497-12615-5-ND
别名：497-12615-5
STP5NK65ZFP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A
详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N65K3
仓库库存编号：
497-12424-ND
别名：497-12424
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N25CT
仓库库存编号：
FQPF9N25CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB11N40CTM
仓库库存编号：
FQB11N40CTMCT-ND
别名：FQB11N40CTMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号：
FQPF9N25CYDTU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N80C
仓库库存编号：
FQPF7N80C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
型号：
TK14G65W,RQ
仓库库存编号：
TK14G65WRQCT-ND
别名：TK14G65WRQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF650N80Z
仓库库存编号：
FCPF650N80Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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