规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
型号：
BUK7212-55B,118
仓库库存编号：
1727-5246-1-ND
别名：1727-5246-1
568-6570-1
568-6570-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB00EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19533KCS
仓库库存编号：
296-37482-5-ND
别名：296-37482-5
CSD19533KCS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18NM60N
仓库库存编号：
497-10300-5-ND
别名：497-10300-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 162W（Tc） TO-220
型号：
FCP650N80Z
仓库库存编号：
FCP650N80Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
STW19NM60N
仓库库存编号：
497-13792-5-ND
别名：497-13792-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 2.8W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17577Q3AT
仓库库存编号：
296-38336-1-ND
别名：296-38336-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号：
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
别名：NTD6415ANLT4GOSCT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ418EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ418EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA84EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA84EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA84EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB40EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB40EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A WDFN8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），107A（Tc） 3.3W（Ta）, 68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5C453NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5C453NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5C453NLTAGOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB9N50CTM
仓库库存编号：
FQB9N50CTMFSCT-ND
别名：FQB9N50CTMFSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ920DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ920DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ920DT-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号：
FDMD8900
仓库库存编号：
FDMD8900CT-ND
别名：FDMD8900CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
型号：
FDPC8016S
仓库库存编号：
FDPC8016SCT-ND
别名：FDPC8016SCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86110
仓库库存编号：
FDD86110CT-ND
别名：FDD86110CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD70N6F3
仓库库存编号：
497-12240-1-ND
别名：497-12240-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 40A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
型号：
FDPC8014AS
仓库库存编号：
FDPC8014ASCT-ND
别名：FDPC8014ASCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名：IRFL4105TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD096N08N3GATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），45A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB165N15NZ3 G
仓库库存编号：
BSB165N15NZ3 GCT-ND
别名：BSB165N15NZ3 GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 102W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R130C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R130C7AUMA1CT-ND
别名：IPL65R130C7AUMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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