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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP21N60L
仓库库存编号:
IRFP21N60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP22N60K
仓库库存编号:
IRFP22N60K-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT52N30Q TRL
仓库库存编号:
IXFT52N30Q TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI2807
仓库库存编号:
IRFI2807-ND
别名:*IRFI2807
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
IRF1404ZSTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1404ZSTRR
仓库库存编号:
IRF1404ZSTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-262
型号:
64-2042
仓库库存编号:
64-2042-ND
别名:*IRF1404ZL
IRF1404ZL
IRF1404ZL-ND
SP001518170
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305
仓库库存编号:
IRF3305-ND
别名:*IRF3305
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3305PBF
仓库库存编号:
IRF3305PBF-ND
别名:*IRF3305PBF
AUXNSF3305
AUXNSF3305-ND
SP001576766
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S203
仓库库存编号:
SPP100N03S203-ND
别名:SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2-03
仓库库存编号:
SPB80N03S2-03-ND
别名:SP000016251
SPB80N03S203T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S203GATMA1
仓库库存编号:
SPB80N03S203GATMA1TR-ND
别名:SP000200139
SPB80N03S2-03 G
SPB80N03S2-03 G-ND
SPB80N03S203GXT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-06-ND
别名:SP000013577
SPB80N06S2L06T
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2-03-ND
别名:SP000013492
SPI100N03S203X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2-03-ND
别名:SP000016262
SPI80N03S203X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2-03-ND
别名:SP000012468
SPP80N03S203X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-06-ND
别名:SP000013576
SPP80N06S2L06
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
64-2105PBF
仓库库存编号:
64-2105PBF-ND
别名:IRF1404ZLPBF
IRF1404ZLPBF-ND
SP001519330
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404ZGPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZGPBF-ND
别名:SP001553874
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7779L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7779L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7779L2TR1PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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