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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP120NF04
仓库库存编号：
STP120NF04-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
STP270N04
仓库库存编号：
497-5270-5-ND
别名：497-5270-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
STW80NF55-08
仓库库存编号：
STW80NF55-08-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220-3
型号：
STP270N4F3
仓库库存编号：
STP270N4F3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350
仓库库存编号：
IRFP350-ND
别名：*IRFP350
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450IR-ND
别名：*IRFP450
IRFP450IR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450X-ND
别名：IRFP450X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP23N50L
仓库库存编号：
IRFP23N50L-ND
别名：*IRFP23N50L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 85V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH50P085
仓库库存编号：
IXTH50P085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF76445P3
仓库库存编号：
HUF76445P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76445S3S
仓库库存编号：
HUF76445S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76445S3ST
仓库库存编号：
HUF76445S3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76445P3
仓库库存编号：
HUFA76445P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76445S3S
仓库库存编号：
HUFA76445S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76445S3ST
仓库库存编号：
HUFA76445S3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 52A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50N60JCU2
仓库库存编号：
APT50N60JCU2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM100H80FT1G
仓库库存编号：
APTM100H80FT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号：
568-5854-1-ND
别名：568-5854-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 35A（Tc） 5.4W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7447ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7447ADP-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 35A（Tc） 5.4W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7447ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7447ADP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ400DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ400DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
型号：
NP82N04PDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP82N04PDG-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 84A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
型号：
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号：
NP84N075KUE-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4W（Ta），70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD45P03-10-E3
仓库库存编号：
SUD45P03-10-E3CT-ND
别名：SUD45P03-10-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2LLG
仓库库存编号：
APT12067B2LLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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