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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR48N60P
  仓库库存编号：IXFR48N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N50Q
  仓库库存编号：IXFR30N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N50Q
  仓库库存编号：IXFX30N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N50Q
  仓库库存编号：IXFX32N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N50Q
  仓库库存编号：IXFK32N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N50Q
  仓库库存编号：IXFR32N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N50Q
  仓库库存编号：IXFK30N50Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N30Q
  仓库库存编号：IXFT52N30Q-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM110-015X2F
  仓库库存编号：FMM110-015X2F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N80P
  仓库库存编号：IXFN32N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT6010B2LLG
  仓库库存编号：APT6010B2LLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT50N60JCCU2
  仓库库存编号：APT50N60JCCU2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM45T1G
  仓库库存编号：APTC60AM45T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60DDAM45T1G
  仓库库存编号：APTC60DDAM45T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60DSKM45T1G
  仓库库存编号：APTC60DSKM45T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60VDAM45T1G
  仓库库存编号：APTC60VDAM45T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60HM45T1G
  仓库库存编号：APTC60HM45T1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM45B1G
  仓库库存编号：APTC60AM45B1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC60HM45SCTG
  仓库库存编号：APTC60HM45SCTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 103A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3610STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3610STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3610STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 160A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRF1404ZL
  仓库库存编号：AUIRF1404ZL-ND
  别名：SP001520886
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 140A（Tc） 330W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRF3305
  仓库库存编号：AUIRF3305-ND
  别名：SP001517888
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
  详细描述：N 沟道 200V 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：AUIRFS4127TRL
  仓库库存编号：AUIRFS4127TRL-ND
  别名：SP001518830
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 72A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4127PBF
  仓库库存编号：IRFSL4127PBF-ND
  别名：SP001557538
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW80NF06
  仓库库存编号：497-3266-5-ND
  别名：497-3266-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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