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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60ET5-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60ET1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG33N60E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N15T
仓库库存编号：
IXTQ120N15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH110N15T2
仓库库存编号：
IXFH110N15T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N20T
仓库库存编号：
IXTH130N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ120N15P
仓库库存编号：
IXTQ120N15P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P085
仓库库存编号：
IXTT50P085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH120N15P
仓库库存编号：
IXFH120N15P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXTT120N15P
仓库库存编号：
IXTT120N15P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
型号：
IXFT120N15P
仓库库存编号：
IXFT120N15P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW33N60E-GE3-ND
别名：SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT24P20
仓库库存编号：
IXTT24P20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT24M80B
仓库库存编号：
APT24M80B-ND
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无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT22F80S
仓库库存编号：
APT22F80S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 17A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F100S
仓库库存编号：
APT17F100S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80P
仓库库存编号：
IXFX32N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80P
仓库库存编号：
IXFK32N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT24M80S
仓库库存编号：
APT24M80S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK52N30Q
仓库库存编号：
IXFK52N30Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N80P
仓库库存编号：
IXFR32N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX48N60P
仓库库存编号：
IXFX48N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6046ANZC8
仓库库存编号：
R6046ANZC8-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 48A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N60P
仓库库存编号：
IXFK48N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N50P
仓库库存编号：
IXFR64N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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