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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP85NF55
仓库库存编号：
497-6744-5-ND
别名：497-6744-5
STP85NF55-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP33N60E-GE3-ND
别名：SIHP33N60EGE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N50P
仓库库存编号：
IXFK64N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N60P
仓库库存编号：
IXFN48N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18M100B
仓库库存编号：
APT18M100B-ND
别名：APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP150NF04
仓库库存编号：
497-10075-5-ND
别名：497-10075-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR440DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR440DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR440DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1404Z
仓库库存编号：
AUIRF1404Z-ND
别名：SP001520218
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB100NF04T4
仓库库存编号：
497-5951-1-ND
别名：497-5951-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30P3
仓库库存编号：
IXFX120N30P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N50P
仓库库存编号：
IXFX64N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1130W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N30P3
仓库库存编号：
IXFK120N30P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2FLLG
仓库库存编号：
APT12067B2FLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM45BC1G
仓库库存编号：
APTC60AM45BC1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S2L06ATMA2CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF1404ZSTRLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT22F80B
仓库库存编号：
APT22F80B-ND
别名：APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF06
仓库库存编号：
497-3201-5-ND
别名：497-3201-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB85NF55T4
仓库库存编号：
STB85NF55T4-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH270N4F3-6
仓库库存编号：
497-11218-1-ND
别名：497-11218-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA52DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA52DP-T1-RE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7868ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7868ADP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA110N15T2
仓库库存编号：
IXFA110N15T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-03P-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-03P-E3TR-ND
别名：SUM110N04-03P-E3-ND
SUM110N04-03P-E3TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP110N15T2
仓库库存编号：
IXFP110N15T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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