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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 32A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ479EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ479EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM020N04LCR RLGTR-ND
别名：TSM020N04LCR RLGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM020N04LCR RLGCT-ND
别名：TSM020N04LCR RLGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM020N04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM020N04LCR RLGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA52DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP100NF04
仓库库存编号：
497-7497-5-ND
别名：497-7497-5
STP100NF04-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） I2PAK
型号：
STI270N4F3
仓库库存编号：
497-12598-5-ND
别名：497-12598-5
STI270N4F3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP21N60LPBF
仓库库存编号：
IRFP21N60LPBF-ND
别名：*IRFP21N60LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 45A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 300W（Tc） TO-247
型号：
STW56NM60N
仓库库存编号：
497-13286-5-ND
别名：497-13286-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6046ANZ1C9
仓库库存编号：
R6046ANZ1C9-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 167W（Tc） DPAK
型号：
STD110N8F6
仓库库存编号：
497-16032-1-ND
别名：497-16032-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
型号：
RRH140P03GZETB
仓库库存编号：
RRH140P03GZETBCT-ND
别名：RRH140P03GZETBCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 30A
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ463EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ463EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP86363_F085
仓库库存编号：
FDP86363_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB86363_F085
仓库库存编号：
FDB86363_F085CT-ND
别名：FDB86363_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM90N10-8M2P-E3
仓库库存编号：
SUM90N10-8M2P-E3CT-ND
别名：SUM90N10-8M2P-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB150NF04
仓库库存编号：
497-8805-1-ND
别名：497-8805-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
详细描述：N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
AUIRFS4127
仓库库存编号：
AUIRFS4127-ND
别名：SP001517544
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH270N4F3-2
仓库库存编号：
497-13773-1-ND
别名：497-13773-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4127PBF
仓库库存编号：
IRFP4127PBF-ND
别名：SP001566148
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV270N4F3
仓库库存编号：
497-7031-1-ND
别名：497-7031-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA44N30
仓库库存编号：
FQA44N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC018N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC018N04LS GCT
BSC018N04LS GCT-ND
BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S203T
仓库库存编号：
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名：SPB100N03S203XTINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH24P20
仓库库存编号：
IXTH24P20-ND
别名：Q1163049
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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