规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB270N4F3
仓库库存编号：
497-7944-1-ND
别名：497-7944-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号：
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名：SUD50P04-09L-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 34mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23
型号：
AO3162
仓库库存编号：
785-1458-1-ND
别名：785-1458-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N04LS G
仓库库存编号：
BSC016N04LS GCT-ND
别名：BSC016N04LS GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR494DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD50P06-15L_GE3
仓库库存编号：
SQD50P06-15L_GE3CT-ND
别名：SQD50P06-15L_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1404ZPBF
仓库库存编号：
IRF1404ZPBF-ND
别名：*IRF1404ZPBF
IRF1404Z-010PBF
IRF1404Z-010PBF-ND
SP001574476
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4127TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4127TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4127TRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350PBF
仓库库存编号：
IRFP350PBF-ND
别名：*IRFP350PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450PBF
仓库库存编号：
IRFP450PBF-ND
别名：*IRFP450PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4332PBF
仓库库存编号：
IRFB4332PBF-ND
别名：SP001556040
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60E-GE3-ND
别名：SIHB33N60EGE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH52N30Q
仓库库存编号：
IXFH52N30Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N50P
仓库库存编号：
IXFN64N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1404ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1404ZSTRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7868ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7868ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7868ADP-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4127PBF
仓库库存编号：
IRFB4127PBF-ND
别名：SP001560212
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 360W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4332PBF
仓库库存编号：
IRFP4332PBF-ND
别名：SP001578038
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP23N50LPBF
仓库库存编号：
IRFP23N50LPBF-ND
别名：*IRFP23N50LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT17F100B
仓库库存编号：
APT17F100B-ND
别名：APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
型号：
STP110N8F6
仓库库存编号：
497-16019-5-ND
别名：497-16019-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG33N60E-GE3-ND
别名：SIHG33N60E-GE3CT
SIHG33N60E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP22N60KPBF
仓库库存编号：
IRFP22N60KPBF-ND
别名：*IRFP22N60KPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6046FNZ1C9
仓库库存编号：
R6046FNZ1C9-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6046FNZC8
仓库库存编号：
R6046FNZC8-ND
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