规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC13DN30NSFDATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC350N20NSFDATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC670N25NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC670N25NSFDATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840BPBF
仓库库存编号：
IRF840BPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740BPBF
仓库库存编号：
IRF740BPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF12N50T
仓库库存编号：
FDPF12N50T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 46A F7 TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF100N6F7
仓库库存编号：
497-15884-5-ND
别名：497-15884-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N80C
仓库库存编号：
FQPF6N80C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 11.6A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF16N15
仓库库存编号：
FQPF16N15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHF8N50D-E3-ND
别名：SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R5011ANX
仓库库存编号：
R5011ANX-ND
别名：R5011ANXCT
R5011ANXCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHP8N50D-E3-ND
别名：SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
SIHP8N50DE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP10N40D-E3
仓库库存编号：
SIHP10N40D-E3-ND
别名：SIHP10N40DE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 27.6A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP27NQ11T,127
仓库库存编号：
1727-4643-ND
别名：1727-4643
568-5760
568-5760-5
568-5760-5-ND
568-5760-ND
934058502127
PHP27NQ11T
PHP27NQ11T,127-ND
PHP27NQ11T-ND
PHP27NQ11T127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP8N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHP8N50D-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP14N85X
仓库库存编号：
IXFP14N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 8500V 14A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 38W（Tc） TO-220
型号：
IXFP14N85XM
仓库库存编号：
IXFP14N85XM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N85XHV
仓库库存编号：
IXFA14N85XHV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N85X
仓库库存编号：
IXFH14N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
型号：
SVD2955T4G
仓库库存编号：
SVD2955T4GOSCT-ND
别名：NVD2955T4GOSCT
NVD2955T4GOSCT-ND
SVD2955T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
型号：
FDMS86580_F085
仓库库存编号：
FDMS86580_F085CT-ND
别名：FDMS86580_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR850DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR850DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR850DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N80CT
仓库库存编号：
FQPF6N80CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF12N50NZ
仓库库存编号：
FDPF12N50NZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP12N50NZ
仓库库存编号：
FDP12N50NZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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