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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB60EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB60EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB60EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD075N19TL
仓库库存编号：
RCD075N19TLCT-ND
别名：RCD075N19TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5811NLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5811NLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5811NLTAGOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 6.8W（Tc）
型号：
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4850EY-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.9A（Ta），78A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C55NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C55NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C55NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3660AS
仓库库存编号：
FDMS3660ASCT-ND
别名：FDMS3660ASCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH MLP2X3
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
型号：
FDMB2308PZ
仓库库存编号：
FDMB2308PZCT-ND
别名：FDMB2308PZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 24A
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ850EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ850EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7454DP-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） LPTS
型号：
R5011FNJTL
仓库库存编号：
R5011FNJTLCT-ND
别名：R5011FNJTLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
FCD7N60TM_WS
仓库库存编号：
FCD7N60TM_WSCT-ND
别名：FCD7N60TM_WSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB12N50TM
仓库库存编号：
FDB12N50TMCT-ND
别名：FDB12N50TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 6.2A, 1A 2.3W Surface Mount Power56
型号：
FDMS8095AC
仓库库存编号：
FDMS8095ACCT-ND
别名：FDMS8095ACCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
型号：
FDMD86100
仓库库存编号：
FDMD86100CT-ND
别名：FDMD86100CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD11NM60ND
仓库库存编号：
497-8477-1-ND
别名：497-8477-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
型号：
STB12NM50N
仓库库存编号：
497-5781-1-ND
别名：497-5781-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
型号：
STB13NM60N
仓库库存编号：
497-10984-1-ND
别名：497-10984-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7606TR
仓库库存编号：
IRF7606CT-ND
别名：*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7606TRPBF
仓库库存编号：
IRF7606TRPBFCT-ND
别名：IRF7606TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
PHC21025,118
仓库库存编号：
1727-1543-1-ND
别名：1727-1543-1
568-11059-1
568-11059-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
PHC21025,118
仓库库存编号：
1727-1543-6-ND
别名：1727-1543-6
568-11059-6
568-11059-6-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO613SPV G
仓库库存编号：
BSO613SPV GCT-ND
别名：BSO613SPV GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 103W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号：
1727-7210-1-ND
别名：1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
无铅
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