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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-E3CT
  SI4484EYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7462DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7462DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7462DP-T1-E3CT
  SI7462DPT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8676
  仓库库存编号：FDMC8676CT-ND
  别名：FDMC8676CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 10A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50UTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50UTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50UTM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4G
  仓库库存编号：MTD6N15T4GOSCT-ND
  别名：MTD6N15T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.4A（Ta），30A（Tc） 3.1W（Ta），71W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3860
  仓库库存编号：FDB3860CT-ND
  别名：FDB3860CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP7N60_F080
  仓库库存编号：FCP7N60_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2544(F)
  仓库库存编号：2SK2544(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN080N25FU6
  仓库库存编号：RDN080N25FU6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N15T4GV
  仓库库存编号：MTD6N15T4GV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4418DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4418DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4418DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-GE3CT
  SI4484EYT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5456DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5456DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5456DU-T1-GE3CT
  SI5456DUT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7462DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7462DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7462DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6933DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6933DQ-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6933DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6933DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4946EY-T1-E3
  仓库库存编号：SQ4946EY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N10-34P-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50N10-34P-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4720
  仓库库存编号：785-1296-1-ND
  别名：785-1296-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7210
  仓库库存编号：785-1376-1-ND
  别名：785-1376-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NVMD6N03R2G
  仓库库存编号：NVMD6N03R2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NVMSD6N303R2G
  仓库库存编号：NVMSD6N303R2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD2955PT4G
  仓库库存编号：NTD2955PT4GOSCT-ND
  别名：NTD2955PT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6N04R2G
  仓库库存编号：NTMD6N04R2GOSCT-ND
  别名：NTMD6N04R2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28.5A（Ta），72A（Tc） 5.6W（Ta），35.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6530
  仓库库存编号：AON6530-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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