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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50ND
  仓库库存编号：497-10026-1-ND
  别名：497-10026-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD2955T4G
  仓库库存编号：NTD2955T4GOSCT-ND
  别名：NTD2955T4GOS
  NTD2955T4GOS-ND
  NTD2955T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tj） 91W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN040-100MSEX
  仓库库存编号：1727-1086-1-ND
  别名：1727-1086-1
  568-10232-1
  568-10232-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC8030
  仓库库存编号：FDMC8030CT-ND
  别名：FDMC8030CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT452AP
  仓库库存编号：NDT452APCT-ND
  别名：NDT452APCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR462DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR462DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR462DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7905DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7905DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7905DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N6F7
  仓库库存编号：497-15888-5-ND
  别名：497-15888-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13NM60N
  仓库库存编号：497-8892-5-ND
  别名：497-8892-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NM50ND
  仓库库存编号：497-16200-5-ND
  别名：497-16200-5
  STF12NM50ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3469DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3469DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3469DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8880
  仓库库存编号：FDS8880CT-ND
  别名：FDS8880CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7103TRPBF
  仓库库存编号：IRF7103PBFCT-ND
  别名：*IRF7103TRPBF
  IRF7103PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD20N06T4G
  仓库库存编号：NTD20N06T4GOSCT-ND
  别名：NTD20N06T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9945
  仓库库存编号：NDS9945CT-ND
  别名：NDS9945CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD2955-1G
  仓库库存编号：NTD2955-1GOS-ND
  别名：NTD2955-1G-ND
  NTD2955-1GOS
  NTD29551G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM
  仓库库存编号：FCD7N60TMCT-ND
  别名：FCD7N60TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN027-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4658-ND
  别名：1727-4658
  568-5775
  568-5775-5
  568-5775-5-ND
  568-5775-ND
  934064326127
  PSMN027-100PS,127-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11NM60ND
  仓库库存编号：497-11884-5-ND
  别名：497-11884-5
  STF11NM60ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6N03R2G
  仓库库存编号：NTMD6N03R2GOSCT-ND
  别名：NTMD6N03R2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3806TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3806TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3806TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5418DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5418DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5418DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3806TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3806TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3806TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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